01 两大原厂宣布延长DDR4生产
由于DDR4价格持续高于DDR5，三星电子和SK海力士决定将DDR4生产延长至明年。
三星电子计划将原定于今年停止的DDR4生产延长至明年。
SK海力士近期也制定了同样的策略，并将此信息传达给了客户。
值得一提的是，SK海力士决定在无锡工厂增加DDR4产量。
服务器厂商表示，“两家公司相继宣布停产DDR4，随后又撤回了这一决定，导致DDR4价格暂时飙升”。
今年上半年，三星电子、SK海力士和美光等公司已告知客户，计划停产DDR4。
HBM的出现改变了市场氛围。由于三大原厂都全力争取HBM订单，DRAM临时供应量有所下降。
HBM使用的晶圆数量是DRAM的三倍。
由于许多生产计划分配给了HBM，DRAM供应量也相对减少。
随着DDR4供应量急剧下降，价格高于DDR5的逆转态势持续，最终这些公司决定维持DDR4生产，提升盈利能力。
DRAM的情况反映出折旧效应，比新产品更能带来盈利。
随着AI数据中心投资的快速增长，服务器对DDR4需求依然旺盛。
不仅对GPU使用的DRAM（HBM），而且对通用服务器DRAM的需求也在大幅增长。
明年服务器DDR4将占到5%。
有人认为，这种价格逆转现象很快就会消失。
过去，在从DDR2过渡到DDR3的过程中，出现了大约四个月的逆转现象，但随着过渡的完成，这种现象也消失了。
SK海力士也说：“近期DDR4价格飙升，是由于对供应短缺的担忧而导致的暂时性需求转变。”
预计通用DRAM产量增加的三星电子，将受益于DDR4价格上涨。
如果以无锡工厂为中心的DDR4产量大幅增加，SK海力士收益也有可能增加。
02 8月份DRAM价格继续上涨
DRAM价格续涨。
7月份指标性产品DDR4 8Gb批发价（大宗交易价格）为4.28美元左右、容量较小的4Gb产品价格为3.26美元左右，环比上涨4%、连续第4个月上涨。
DDR4供应紧绷、价涨的情况也波及至其他产品。
7月份次世代产品DDR5批发价环比上涨1-2%。
DDR4现货价格在经历了第二季度的疯狂上涨后已趋于稳定，但由于供应仍然紧张，合约价格仍在持续上涨。
DDR4现在的价格比更新、更快的DDR5更贵。
8月份DDR4 16GB（2Gx8）价格上涨了近7%，价格达到9.17美元。
16GB DDR5（2Gx8）下跌3%，至5.99美元，各代之间的价格差距扩大至近50%。
DDR4 8GB（1Gx8）继续下跌，而DDR3（512Mx8）再次飙升，延续了7月份20%的涨幅，并进一步上涨13%。
此次价格飙升更多是故意抑制供应，而非需求突然飙升。
大厂正在优先考虑HBM，由于在GPU和AI推理领域的应用，HBM的利润率更高。
每一片晶圆被转移用于供应H100或AMD的Instinct加速器，都会减少DDR4供应。
这种刻意的重新分配会抑制供应，进而迫使系统制造商和分销商囤积剩余库存。
结果是市场反转，DDR4现在成本却高于 DDR5。
现货市场疲软，但预计合约价格将在年底前攀升。
一旦库存消化完成，DDR4需求将在9月份反弹，而NAND闪存价格应会随着产能谨慎扩张而保持坚挺。
03 美国撤销豁免，评估影响不大
美国将撤销对三星、SK海力士的“经认证终端用户”（VEU）授权，使这两家公司在中国的晶圆厂，未来若要取得美国半导体制造设备，需要逐一申请许可证，市场认为可能冲击韩国半导体产业。
机构认为，由于原厂预计将把制程迁出中国，评估整体影响不大。
美国商务部声明，未来仍会核准许可申请，维持两家原厂现有的中国厂区运作，但“不打算核准任何扩大产能或技术升级的许可证”。
这意味着，中国生产线将被限制在现有水准，难以进行技术革新或升级。
花旗估计，这些公司在中国的资本支出约占全球晶圆设备（WFE）总支出的2%。
在主要三大设备厂商中，科林研发（Lam Research） 的曝险程度相对较高，约5%，主要由于NAND晶圆厂的升级，科林研发相关营收在今年6月季增90%，创下自2022年12月以来最高。
整体来看，今年下半年WFE（晶圆厂设备）展望不会有重大变化，由于存储制造商预计将把制程迁出中国，评估整体影响为中性。
04 三星9100 PRO 8TB开售，6399元
三星9100 PRO SSD 8TB国行版正式开售，售价6399元。
9100 PRO是三星首款满血PCIe 5.0 SSD，读取速度高达14.8GB/s，刷新消费级SSD速度纪录。
PCIe 5.0×4通道，再加上NVMe 2.0，性能全速释放，与前代990 PRO相比，整体性能提升高达99%。
8TB版本顺序读取速度为14800 MB/s，顺序写入速度13400 MB/s，随机读取速度可达2200K IOPS，随机写入2600K IOPS。
配备三星最新自研主控芯片，采用5nm工艺和低功耗架构，8TB版配备厚度为11.25mm的散热片，同时优化热控制，确保稳定的高速性能且不会过热。
写入寿命达4800TBW，提供5年质保。
05 HBM供应链，韩国严重依赖日本
韩国在存储产品方面处于领先地位，但在关键材料方面仍然严重依赖日本。
除非韩国加快本土化进程，否则这种依赖会成为韩国在人工智能和HBM竞赛中的结构性风险。
在SK海力士的HBM价值链中，超精细硅通孔（TSV）堆叠结构，依赖主要由日本企业垄断的关键材料和设备。
HBM堆叠所必需的底部填充材料，几乎完全由日本NAMICS公司供应。
由于替代方案有限，本地化进程缓慢。
此外，SK海力士从信越化学公司采购了大量硅晶圆。
信越化学目前控制着全球半导体晶圆市场约30%的份额，是全球最大的市场份额。
加上SUMCO，日本在该领域的份额估计将达到全球市场的70%。
日本仍然是HBM生产的中心，SK 海力士从东京应化工业 (TOK) 采购大部分光刻胶 (PR)，并依靠 JSR和旭化成提供封装材料 (EMC)，这些对于制造HBM都至关重要。
韩国半导体材料供应链建设迟缓的原因之一是，日本企业已经积累了二三十年的数据和客户信任。即使韩国企业开发出替代品，也需要数年时间才能达到量产的水平。
技术壁垒依然很高。尽管韩国拥有LG化学和乐天化学等企业，但它们进军半导体材料领域才刚刚起步。
除韩国外，中国也在努力提高半导体材料和化学品的自给自足能力。
HW正在支持珠海基石化工公司，打造一家能够与信越化学和JSR等全球领先企业竞争的全方位供应商。
设备是另一个严重依赖日本的领域。
用于减薄晶圆的研磨和切割机，主要由日本迪思科公司（DISCO）主导，该公司占据了全球90%以上的市场份额。
韩国本土化也取得了一些进展，Wonik IPS（蚀刻）、PSK（清洗）和Hanmi Semiconductor（键合和检测）等公司，为SK海力士的HBM生产提供关键设备。
END